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电子元器件详细资料 » IC[28534] » SPB80N03S2L06T
型号:SPB80N03S2L06T类别:FET - 单制造商:Infineon Technologies
封装:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB描述:MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
系列OptiMOS™
制造商Infineon Technologies
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)30V
电流_连续漏极(Id)0a025000C80A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C5.9 毫欧 @ 80A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2222V @ 80µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs68nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds2530pF @ 25V
功率_最大150W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装P-TO263-3
包装带卷 (TR)

供应商

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SPB80N03S2L06T相关型号

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